Endura^® Amber^™PVD

Sundar Ramamurthy shows how revolutionary Amber PVD copper reflow addresses interconnect scaling challenges beyond 20nm.

Sundar Ramamurthyが20nm以降の配線の微細化への課題に対応する、画期的なAmber PVD銅のリフローをお見せします。

信頼性が高く、完全な銅の配線トレンチの充填とビア構造は、マイクロエレクトロニクスの製造において、デバイスの信頼性を高めるために極めて重要です。このプロセスにおける重要なステップは、周囲の絶縁材料に銅が拡散することを防ぐバリアと、結果としてボイドやシームのない電気化学成膜（もしくはめっき）を達成するための銅のシード層の成膜です。

今日まで、イオン化物理気相成長（PVD）は電気めっきのための全ての成膜表面上に、要求された厚みと再現性のあるカバレージを達成してきました。2xnm以降のノードでは、最も最適化されたバリア／シードプロセスにおいて、オーバーハングのないコンフォーマルなカバレージが達成できても、電気めっきにとっては厳しいアスペクト比が生成されてしまいます。

低温成膜および高温での熱処理銅リフローのオールインワンシステムである、独自のEndura Amber PVD システムが、EnCoRe II RFXの銅シードテクノロジーを置き換え、この難題を解決します。1xnmノードでの超極小ビアホールの開口部における銅のオーバーハングは、従来のPVDにおいて、側壁や底部のシード層の最適な電気めっき達成の妨げとなっていました。新しいシステムは、ボトムアップフィルを可能にする銅のリフローでのPVD成膜を増加させることにより、現行の技術を拡張しています。この2ステップ技術は、ビアホールの効果的なアスペクト比の低減（一度のみ成膜した場合）、もしくはビアホールを完全に充填することで（反復して成膜された場合）、電気めっきを簡素化しています。このことは、デバイスの信頼性に不可欠なボイドフリーの充填の確実性を高めます。各ステップの成膜／リフローサイクルの独立した温度制御は、この技術をさまざまなライナー材料に適用させる柔軟性を提供します。

高真空条件でのプリクリーンとEnCoRe II Ta(N)バリア技術を採用したEnduraプラットフォームに統合されたこの革新的な銅シードテクノロジーは、量産において高いデバイスの歩留まりを可能にします。