Endura^® Amber^™PVD

Sundar Ramamurthy shows how revolutionary Amber PVD copper reflow addresses interconnect scaling challenges beyond 20nm.

선다르 라마멀이 혁신적인 Amber PVD 구리 리플로우가 20nm를 넘어서는 인터커넥트 미세화 문제를 어떻게 해결하는지 보여줍니다.

인터커넥트 트렌치와 비아 구조의 완벽한 구리 충진은 마이크로 전자장치 제조의 소자 신뢰성에 매우 중요합니다. 이 공정의 필수단계는 차단층(구리가 주변 절연 물질로 확산되는 것을 방지)과 구리 시드층을 증착하는 과정으로, 공극이나 빈틈 없이 이후의 전기화학적 증착(또는 도금)을 원활하게 진행시켜 줍니다.

현재까지 이온화된 PVD(물리기상증착)로 전기도금을 위해 모든 표면에서 요구되는 두께와 피복 연속성을 달성할 수 있었습니다. 하지만 2xnm 기술 양식을 넘어서면 돌출부 없이 정합 피복성을 보여주는 가장 최적화된 차단층/시드층 공정에서도 전기도금에 부적합한 형상 종횡비가 만들어집니다.

Endura Amber PVD 시스템은 저온 증착과 고온 열 구리 리플로우를 결합하여 EnCoRe II RFX 구리 시드층 기술을 대체하는 검증된 올인원 방식으로 이 문제를 해결합니다. 기존 PVD의 경우에 1xnm 기술 양식의 초소형 비아의 구멍 주위에 있는 구리 돌출부 때문에 최적의 전기도금을 위해 필요한 측벽과 바닥 시드층 피복성을 달성하지 못합니다. 이 새로운 시스템은 상향식 충진을 구현하기 위해 구리 리플로우로 PVD 증착을 보완하여 현행 기술을 확장합니다. 이 2단계 기법은 비아의 유효 종횡비를 줄이거나(한번 적용할 때) 비아를 완전히 충진해서(반복 적용할 때) 전기도금을 더 쉽게 할 수 있도록 만듭니다. 따라서 소자 신뢰성에 필요한 공극 없는 충진 확실성을 높입니다. 증착/리플로우 주기의 각 단계에 대해 독립적으로 온도를 제어해서 이 공정을 다양한 라이너 재료와 성공적으로 통합할 수 있는 유연성을 제공합니다.

이 혁신적인 구리 시드층 기술은 Endura 플랫폼에서 고진공 조건의 전세정 및 EnCoRe II Ta(N) 차단층 기술과 통합되어 대량 생산에서 높은 소자 수율을 구현할 수 있게 해줍니다.