Centura^® DxZ CVD

先進のMEMS、パワーデバイス、パッケージング市場での製造を支援するために、先進の200mm化学気相成長テクノロジーに対する需要が高まっています。超厚酸化膜（20µm以上）、低温（180〜350℃）、均一性、低いウエットエッチ率（WER）膜、可変屈折率（RI）が、成長している新興テクノロジーを用いたデバイス製造において要求されています。

これらの膜は、Centura DxZ CVD装置で製造可能な幅広い製品群に含まれています。アプライド マテリアルズの絶縁CVD膜における強みの基礎は、TEOS、シランベースの酸化膜、窒化膜から始まり、先進のチップ製造プロセス、Low-k、歪みエンジニアリング、リソグラフィが可能な膜へと、リーダーシップを拡大していきました。

加えて、Centura DxZ SACVD装置（準常圧CVD）は、幅広いドープ（フォソフィン、ホウ素、フッ素）および非ドープギャップフィルソリューションを提供します。これらのプロセスは、浅溝分離（STI）、プリメタル絶縁膜（PMD）、層間絶縁膜（ILD）、金属配線層間絶縁膜（IMD）といった、アプリケーションに対応します。