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Centura® DXZ CVD
첨단 MEMS, 전력 소자 및 패키징 분야의 애플리케이션은 150mm와 200mm CVD 첨단 기술의 필요성을 주도하고 있습니다. 이런 신기술 요구사항을 충족하기 위해서는 초후막 산화층(≥20µm), 저온(180°C~350°C), 정합, 낮은 습식 식각률 필름, 그리고 굴절 지수를 조절하는 도핑 필름이 필요합니다. 이 필름은 TEOS, 실란 기반 산화물, 질산염, low-k 유전체, 변형 공학, 리소그래피 구현 필름 등 Centura DXZ CVD 시스템에서 처리 가능한 다양한 포트폴리오에 해당합니다. 어플라이드 Centura DXZ CVD시스템은 다양한 도핑(포스핀, 붕소, 불소)과 무도핑 갭필 솔루션을 구현합니다. 이 공정은 트렌치 소자 분리(STI), 전금속 유전체(PMD), 층간 절연체(ILD), 금속간 절연체(IMD) 같은 애플리케이션 분야에 사용됩니다.
고속 애플리케이션 분야에서 부상하는 신소재 중 하나인 탄화규소(SiC)는 투명도 때문에 웨이퍼 처리가 매우 까다롭습니다. DXZ CVD 시스템은 loadlock 웨이퍼 매핑, 재현성 있는 웨이퍼 방향 초기화, 웨이퍼 배치에 이르기까지 SiC 웨이퍼를 안정적이고 세심하게 취급할 수 있는 향상된 기능을 탑재했습니다.
Centura DXZ 시스템 설계는 비용(예: 비소모성 부품으로 구성된 공정 키트), 처리량, 서비스 용이성 및 신뢰성에 상당한 개선점을 제공합니다. 단일 웨이퍼 멀티 챔버 구조를 사용하는 Centura DXZ시스템은 최대 80wph TEOS 및 탄화규소 처리량 (3000Å PE TEOS 및 플라즈마 실란)와 35wph (2000Å SACVD USG) USG 처리량을 구현합니다. 체계적 설계와 챔버 소형화로 증착과 화학 물질 세정을 위한 효율적인 가스 사용을 구현하고 총 소유 비용을 절감해 줍니다.
Centura DxZ CVD 챔버는 비소모성 저항식 히터와 세라믹 부품으로 구성되며 비용, 처리량, 서비스 편의성, 신뢰성을 크게 향상시킵니다. 또한 DxZ 공정 키트는 비소모성 부품으로 구성되어 있습니다. 단일 웨이퍼 다중 챔버 구조를 사용하는 Centura DxZ는 최대 100WPH(3,000Å PE TEOS 및 플라즈마 실란)와 55WPH(3000Å SACVD USG)의 처리량을 구현합니다. 체계적인 설계와 챔버 소형화를 통해 증착과 화학 물질 세정을 위한 효율적인 가스 사용을 구현해서 전체적인 소유 비용을 줄일 수 있게 해줍니다.