VIISta^® 900 3D

Varian VIISta 900 3Dは、2xnmノード以降の量産向けとなる業界を代表する中電流イオン注入装置です。ビームラインアーキテクチャは、ビーム角の精度と正確なビーム形状の制御を実現する特別なデザインにより、正確なドーパントの位置と、ウェーハ内およびウェーハ間のばらつきを最小限に抑制してロジックFinFETや3Dメモリ構造のアプリケーションに対応します。さらに、これらの機能はCMOSイメージセンサ技術や最先端のプレーナ構造にも有効です。

VIISta 900 3Dは、VIIStaプラットフォームのビームラインアーキテクチャで実証済の、世界トップクラスのパーティクル性能を活用しています。フィルターマグネットが、ソースからの不要な注入物のほとんどを除去します。３段マグネット構造は、中電流システムに採用されている中で最もクリーンなビームラインを供給し、ビーム起因の金属、パーティクル、異種、コンタミネーションを、ビームがウェーハに到達するかなり前に除去します。垂直角度とビーム形状制御機能を独自に組み合わせることにより注入精度が向上し、クローズドループのマイクロ・マクロ均一性の 計測 が注入のばらつきを最小限に抑えます。垂直方向、水平方向の注入角度精度を0.1ºまで厳密に制御しており、これは前世代のテクノロジーと比べ2倍の向上です。

結晶のダメージ制御は、3Dデバイスの性能と消費電力にとって極めて重要です。オプションで組み込まれるホットインプラント技術は、イオン注入時におけるシリコンの結晶化とチャネル材料の高い移動度を維持します。高温での注入は3D構造でのコーナーや成長欠陥を防ぎ、ドーパントの活性化を促し、欠陥によるデバイスのリークを減少させます。ドーズレートの制御により、設定されたレシピの条件において、さらに結晶のダメージを低減することができます。

ビーム形状とドーズ量制御の改善により、最適化されたSuperScan™ 機能がイオン注入以外の上流プロセスで生じる非均一性を修正します。SuperScan 3アルゴリズムは、ウェーハを回転させることなく、ほぼ全てのパターン要求に対応するカスタムドーズが可能になります。

このホットインプラント機能が、150ｍｍおよび200ｍｍのシリコンカーバイド（SiC）ウェーハ向けVIISta 900 3D装置の鍵となる技術です。SiC材料の高密度な結晶構造と非常に高い硬度により、注入後にドーパントを拡散させることは非常に困難です。拡散と活性化を最適化するため、VIISta 900 3Dは優れた温度の均一性でウェーハの反りを軽減する、独自の静電式クランプでSiC基板を固定して熱します。最大60度の傾斜注入ができるオプションの機能により、次世代のトレンチ構造が可能になります。生産現場で実績のあるユニバーサルエンドステーションでのウェーハハンドリングと、業界最短の保守時間を可能するソース設計により、クラス最高レベルの生産性を提供します。