VIISta^™ 900 3D

Varian VIISta 900 3D 系统是业内领先的中束流离子注入机旗舰产品，适用于 2xnm 以上先进结点的大规模量产。其束线架构专门采用了必要的角度精度和束形控制设计，以便在逻辑 finFET 和 3D 存储结构的各种应用中实现精确的掺杂物放置和最小的晶圆内与晶圆间变异性。这些功能还有利于 CMOS 图像传感器技术以及打造最先进的平面结构。

系统充分利用了 VIISta 平台束线架构经过验证的世界一流微粒控制性能。过滤器磁铁从根源去除了大部分不需要的沉积物。三磁铁架构可提供最洁净的中等电流系统束线，在离子束到达晶圆前很好地去除所携带的金属、微粒、交叉物和污染物。直角和束形控制的独特组合提高了注入精度，闭环微观和宏观均匀度测量最大程度降低了注入变异性。这些控制技术将垂直与水平角精度提高到 0.1º，相比前代产品，提升幅度达到了两倍。

控制晶体损伤对 3D 器件的性能与功耗至关重要。在离子注入过程中，选配的集成热注入功能可维持硅和高迁移率沟道材料的结晶度。以更高的温度注入，可消除 3D 结构中的角部缺陷和生长缺陷，改善掺杂剂活化，并减少缺陷所引起的器件漏电流。剂量率控制功能使用户可以针对给定的配方进一步减轻晶体损伤。

增强的束形和剂量控制，使得可以采用经优化的 SuperScan™ 功能来纠正注入之外的上游工序所引起的不均匀性。借助 SuperScan 3 算法，几乎可以为任何所需的图形定制剂量射送，而无需旋转晶圆。

集成的热注入能力是用于处理 150毫米和 200毫米 SiC 晶圆的新型 VIISta 900 3D 系统的关键技术。SiC 致密的晶体结构和极高的硬度使得在注入工序后扩散掺杂剂变得极其困难。为了优化扩散和活化过程，系统加热 SiC 衬底时，衬底由独特的静电夹具固定住，从而有利于保持出色的温度均匀性，减少晶圆翘曲。可选配的倾斜注入功能倾斜角度高达 60°，能支持打造新一代沟槽架构。通用终端台经过生产验证的晶圆控制处理能力以及离子源设计，可在维护时实现业内最短的功能恢复时间，同时带来一流的生产效率。