VIISta^® 900 3D

Varian VIISta 900 3D 시스템은 2xnm 노드 이상 대용량 생산을 위한 업계 최고의 중전류 이온 주입 장치입니다. 이 시스템의 빔 라인(beam-line) 구조는 로직 finFETs 및 3D 메모리 구조의 애플리케이션 분야에서 정확한 불순물 배치와 웨이퍼내 그리고 웨이퍼간 변동 최소화에 필요한 각도 정확성과 빔 형상 제어를 구현하도록 특별히 설계되었습니다. 이러한 기능은 또한 CMOS 이미지 센서 기술과 최신 평면 구조에 도움이 됩니다.

이 시스템은 VIISta 플랫폼 빔 라인 구조를 통해 입증된 세계 최고 수준의 입자 성능을 활용합니다. 필터 자석은 대부분의 원치 않는 주입 물질을 소스(source)에서 제거합니다. 3중 자석 구조로 되어 있어 중전류 시스템 중에서 가장 청결한 빔 라인을 구현하고, 빔이 웨이퍼에 도달하기 전에 빔에 의해 생성된 금속, 입자, 교차 물질, 오염 물질을 제거합니다. 독보적인 방법으로 수직축과 빔 형상 제어를 결합하여 주입 정확성을 향상시키고 폐쇄 루프형(closed-loop) 마이크로 및 매크로 균일성 측정으로 주입 변동성을 최소화합니다. 이러한 제어는 수직 각도와 수평 각도 정확도를 이전 세대의 기술보다 두 배 향상된 0.1º 수준으로 낮춥니다.

결정 손상 제어는 3D 디바이스의 성능과 전력 소비량에 매우 중요합니다. 선택적 일체형 핫 이온 임플란트 장치가 이온 주입 중에 실리콘과 고이동성 채널 물질의 결정도를 유지합니다. 고온에서 주입이 이루어지기 때문에 3D 구조의 모서리 및 성장 결함을 제거하고 불순물 활성화를 강화시키며 결함으로 인한 디바이스 누설을 줄입니다. 주입 속도 제어 기능으로, 주어진 레시피 조건에 대해 결정 손상을 더 줄일 수 있습니다.

향상된 빔 형상과 주입량 제어가 주입 이외의 업스트림(upstream) 공정 단계에 의해 형성되는 비균일성 교정에 최적화된 SuperScan™기능을 구현합니다. SuperScan 3 알고리즘을 사용하여 웨이퍼를 회전하지 않고도 원하는 패턴에 대해 맞춤형 주입을 구현합니다.

핫 임플란트 기능은 150mm 및 200mm 탄화규소(SiC) 웨이퍼를 위한 새로운 VIISta 900 3D 시스템의 핵심 기술입니다. SiC의 소재의 밀도와 경도는 불순물을 주입과 활성화를 극도로 어렵게 만듭니다. 확산 및 활성화를 최적화하기 위해, 시스템은 고유한 정전기 클램프로 고정되는 SiC 기판을 가열하여 우수한 온도 균일성을 촉진하고 웨이퍼 왜곡을 완화합니다. 최대 60°C까지 기울 수 있는 주입 기능으로 차세대 트렌치 구조가 가능합니다. 검증된 웨이퍼 처리와 소스 설계를 통해 업계에서 가장 짧은유지보수 후 정상 재가동까지의 시간과 업계 최고 수준의 생산성을 제공합니다.