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半導体デバイスとアーキテクチャが複雑さを増し、垂直方向に伸び続けるなか、市場投入までの期間を早めるには欠陥の削減と制御がより重要な課題となります。製造プロセスには、工程が増え、またプロセスウィンドウもさらに狭まるため、2Dと3Dの撮像にはより高い解像度が求められます。 歩留まりに最も影響する欠陥の特定が極めて困難になり、デバイス開発、プロセスのデバッグ、プロセス制御において電子ビーム検査装置は今後さらに不可欠となるでしょう。従って、今日の最先端の半導体チップには、従来型の低速電子ビーム装置を凌ぐ、高速電子ビーム検査装置が必要です。
電子ビーム検査装置PrimeVision 10は、最新のコールドフィールドエミッション(CFE)技術と、最新鋭の反射電子(BSE)検出技術を統合し、積層内の埋没欠陥、ディープトレンチ欠陥、ナノ単位のパターンばらつきや電気的欠陥など、あらゆる種類の欠陥に対して、飛躍的な撮像速度と感度での検出を可能にします。PrimeVision 10は、電流密度を高めたCFEにより広い面積を撮像して、実践的な洞察を迅速に提供することで、量産におけるプロセス開発とプロセスのデバッグを加速します。同時に、BSE検出技術は、歩留まりにかかわる層間の埋没欠陥の検出を可能にし、gate-all-around(GAA)トランジスタなどの3D構造デバイスの量産実現をサポートします。
PrimeVision 10は、多次元検出方式を活用することにより、最高クラスのイメージングを実現します。CFEは、従来のTFEベースの検査装置の解像度の限界を超えてナノスケールの歩留まりキラー(致命的)欠陥とニューサンス欠陥を迅速に識別できます。高電流密度と新しい高出力レーザーを組み合わせることで、回路のショートや断線、漏電に高い感度を持つ電位コントラスト画像を高速で実現します。また、GDSベースのビニング方式も含まれており、すべての欠陥をそれぞれのGDS位置に合わせることで、感度と分類がさらに向上します。