PrimeVision^® 10 eBeam Inspection

隨著半導體元件和架構越來越往複雜且垂直擴展的方向發展，要抓準上市時機又要控制與減少缺陷成了極大的挑戰。製造程序不斷加入更多緊縮製程容許範圍的步驟，因此需要更高靈敏度的 2D 和 3D 成像。要識別出影響良率的最關鍵缺陷變得非常具有挑戰性。為因應這項挑戰，電子束檢測系統加入行列，並成為在元件開發、製程偵錯和製程控制中不可或缺的腳色。然而，現今尖端晶片需要更快的電子束檢測系統，以取代傳統較慢的電子束系統。

PrimeVision 10電子束檢測系統整合了新穎的冷場發射 (cold field emission, CFE) 技術與尖端背向散射電子 (back-scattered electron, BSE) 偵測技術，無論是成像速度或是偵測每種缺陷的靈敏度都有顯著進步。缺陷種類包括：埋藏在薄膜堆疊之間的缺陷、深溝槽缺陷、奈米圖案偏差和電氣缺陷。該系統之所以能加速製程開發和量產製程偵錯，是因為使用了增強電流密度的 CFE來處理大面積成像，並快速提供可據以改進的結果。同時，BSE 偵測技術讓晶片製造商得以在層間中偵測到深層良率關鍵缺陷 ，以及協助 3D 元件（例如環繞式閘極電晶體)進入量產。