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반도체 디바이스 및 구조의 복잡성과 수직 스케일링이 가속화됨에 따라, 시장 출시 기간을 단축하는 데 있어 결함률 감소 및 제어가 더욱 큰 당면 과제로 다가오고 있습니다. 제조 공정 단계는 늘어나고 공정 허용 범위는 좁아지면서 2D 및 3D 이미징 기술은 과거보다 높은 감도를 요구하게 되었습니다. 수율에 가장 큰 영향을 미치는 결함을 파악하기가 매우 어려워짐에 따라 소자 개발, 공정 디버그, 공정 관리 시 전자빔 검사 시스템의 필요성이 점점 더 중요하게 대두되고 있습니다. 이러한 이유로 오늘날의 최첨단 칩에는 기존의 전자빔 시스템을 능가하는 더 빠른 전자빔 검사 시스템이 필요합니다.
PrimeVision 10 전자빔 검사 시스템은 냉전계 방출(Cold Field Emission, CFE) 신기술을 최첨단 후방 산란 전자(Back-Scattered Electron, BSE) 검출 기술과 결합하여 스택 내 매몰 결함, 딥 트렌치 결함, 나노미터 패턴 편차, 전기적 결함 등 모든 결함 유형에 대한 이미징 속도 및 감도를 비약적으로 개선하였습니다. 본 시스템은 향상된 전류 밀도로 CFE를 사용하여 넓은 면적을 이미징하고 신속하게 조치할 수 있는 결과값을 제공함으로써, 양산 시 공정 개발 및 공정 디버그에 소요되는 시간을 단축합니다. 또한 BSE 검출 기술은 수율에 큰 영향을 미치는 층간 내부 결함을 탐지할 수 있게 해주며, 이를 통해 게이트올어라운드 (Gate-All-Around, GAA) 트랜지스터등 3D 디바이스의 양산화를 가능하게 하는데 중요한 역할을 하고 있습니다.
PrimeVision 10 시스템은 다차원 탐지 이미징 기술을 활용하여 동급 대비 최고의 이미징 기술을 제공합니다. CFE는 기존의 TFE 기반 시스템의 분해능 한계를 뛰어넘으며, 나노미터 크기의 주요 결함과 뉴상스 결함 (Nuisance defect, 주요 관심 결함이 아닌 결함) 을 더욱 빠르게 구별할 수 있습니다. 높은 전류 밀도와 최신 고출력 레이저는 이미징 속도를 향상하고 디바이스 상에서의 단락, 개방 회로, 누설 전류를 높은 감도로 탐지할 수 있게 해줍니다. 이에 더해 모든 결함을 해당 GDS 위치와 대조하여 감도 및 분류 기능을 더욱 향상하는 GDS 기반 분류 검출 기술도 포함되어 있습니다.