半導體 (Semiconductor)
在傳統技術中,封裝尺寸通常比晶片尺寸大得多。 在緊密間隔的晶片連接焊盤和外界之間建立連接一直是這種封裝的主要功能。
在倒裝晶片球柵陣列封裝中,這種連接焊盤分佈在晶片表面並翻轉晶片進行連接,將接合凸塊的面積限制在晶片面積內。 在先進的技術節點下,這代表凸塊間距將不再與 PCB 兼容。
扇出封裝的開發就是為了放寬這個限制。 該技術提供了比傳統封裝更小的封裝面積,並改善熱與電的效能,同時可以增加接觸點,但不增加晶粒尺寸。 在扇出晶圓級封裝 (WLP) 中,首先對晶圓進行切割,然後將晶片重新定位在載體晶圓(或面板)上,並在每個晶片周圍保留扇出空間。 接著透過成型來重新構建載具,並在整個成型區域上建立重布路線層。 需要特別注意在真空設備中處理帶有聚合物的基板,因其容易排氣並污染現有的層。
應用 材料 公司支援扇出技術的產品包括 Endura PVD 、 Charger PVD 和 Nokota ECD 工具。我們的 Endura 和 Charger 工具具有特定的腔室,可確保製程清潔度和最佳接觸電阻。