扇出

在传统技术中,封装尺寸通常比晶粒尺寸大得多。在间距紧密的晶粒连接垫和外部世界之间建立连接一直是这种封装的主要功能。

在倒装芯片球栅阵列封装中,这种连接垫分布在芯片表面,芯片翻转后进行连接,从而将键合凸点的面积限制在芯片区域内。在先进技术节点,这也意味着凸点间距将不再与 PCB 兼容。

扇出封装的开发就是为了放宽这一限制。与传统封装相比,它在缩小封装占用面积的同时还改善了热性能和电气性能,并允许在不增加晶粒尺寸的情况下增加导线数量。在扇出式晶圆级封装(WLP)中,首先切割晶圆,然后将晶粒重新放置在载体晶圆(或面板)上,每个晶粒周围保留扇出空间。然后通过模塑将载体重组,再在整个模塑区域上建立重布线层。在真空设备中用聚合物加工衬底需要特别小心,因为聚合物容易脱气并污染现有的层。

bump flip chip
fan out


应用材料公司支持扇出技术的产品包括 Endura PVD Charger PVD Nokota ECD 工具。我们的 Endura 和 Charger 设备具有特定的腔体,可确保工艺清洁度和最佳导线电阻。

有关此主题的更多信息,请访问我们的 大师课 博客