應用材料公司的Producer XP Precision Pioneer CVD

邏輯和DRAM（動態隨機存取記憶體）設備在資料中心、人工智慧和行動設備等各種應用中，對運算和記憶體效能的需求不斷增長，需要更複雜的運算和更高容量的存取來處理更大的資料集。然而，縮小電晶體使它們更容易受到製程變化的影響，從而導致性能變化和可靠性降低。擴展 DRAM 有其物理限制，主要是因為在保持其效能和可靠性的同時縮小儲存單元的難度越來越高。

應用材料公司 Producer^® XP Precision^® Pioneer^® CVD 硬遮罩透過提供更穩健和精準的圖案製程技術，有效的減少了半導體製造中的製程變化。Pioneer薄膜透過提高蝕刻選擇性和增強圖案轉移精準性來幫助減少製程表現變異。

Pioneer 先進圖案化 CVD 薄膜基於獨特的高密度碳配方，能夠適應最先進製程節點中使用的蝕刻化學物質，使薄膜疊層具有出色的側壁特徵均勻性。該薄膜在光阻圖案處理之前沉積在晶圓上，經過獨特設計，可將所需圖案以卓越的精準度轉移到晶圓上。

Pioneer 與應用材料公司的 Sculpta^™ 圖案成形技術進行了模組最佳化，使圖案工程師能盡量延伸圖案，同時保持對原始 EUV 定義圖案規格的嚴格控制。

Pioneer 也與 Sym3^™ Y Magnum^™ 蝕刻系統模組最佳化，為邏輯和記憶體處理中的關鍵蝕刻應用提供比傳統碳薄膜更高的選擇性與更良好的控制。