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VIISta HCPインプランタは、Varianの最新枚葉式高電流テクノロジーを活用して、高い歩留まりと業界最高の生産性を実現します。
デュアルマグネットリボンビームアーキテクチャの革新により、ビームラインの伝送、ウェーハ上のビーム活用、ビーム電流出力を改善しました。
VIISta HCPのデュアルマグネットリボンビームアーキテクチャは、成膜によって生成されるパーティクルと、注入ソースチャンバ内でのビームの衝突およびビームラインエレメントからウェーハを隔離します。
VIISta HCPは、閉ループVarian Positioningシステムによりビームステアリングを計測して調整し、正確かつ再現性のある、インターロックされたゼロ角度(True Zero)のインシデント角度制御と、正確な傾斜角度での注入を実現します。
オプションのVIISta HCP PTC II構成により、ダメージエンジニアリングと精密な材料調節アプリケーションを可能にする、低温注入機能を持つHCPプラットフォームを強化します。先進のテクノロジーノードでは、ドーパントの活性化とレンジの終端部の欠陥の除去が、高性能チップのスケーリングを妨げる可能性のある大きな課題となっています。