Producer^®  HARP

Applied Producer HARP（HARP：高アスペクト向けプロセス）は、最先端ロジックFinFETおよびメモリテクノロジー向けのSTIやPMDなどの厳しいギャップフィルの要求に対応する、非プラズマベースの熱CVD絶縁膜成膜装置です。

特許取得済みのオゾン／TEOSケミストリーを使用する独自のHARPプロセスにより、歪み誘起膜を堆積することで、2Dプレーナロジックにおけるトランジスタの駆動電流を増幅し、トランジスタの特性を向上させることができます。また、インテグレーションの複雑さやコストを追加することなく、メモリデバイスのリテンション（電荷保持）時間を改善する事が可能となります。これらの歪みエンジニアリングの利点は、HARPをストレス窒化膜やSiGeエピタキシーなどの他の歪み誘起膜と併用する事で効果が増大されます。加えて、非プラズマ成膜プロセスではプラズマに起因する損傷がなく、優れたデバイスの信頼性を実現します。

Applied HARPプロセスは製造現場で実績のある、高スループットのProducerプラットフォームを使用します。革新的なツインチャンバ設計により、Producerプラットフォームは最大6枚のウェーハの同時処理を可能にし、優れた生産性と高いシステム信頼性を備え、COO（Cost of Ownership）の大幅な削減を実現します。拡張性に優れたプラットフォームにより、お客様は複数のプロセスノードにProducerツールセットを活用することが可能となります。