Producer^® Harp^®

어플라이드 Producer HARP(고종횡비 공정)는 플라즈마를 사용하지 않고 고온의 열공정을 통해 산화막을 증착하는 CVD 공정입니다. 고급 로직 FinFET과 메모리 기술 노드를 위해 갭필(gap-fill) 조건이 엄격한 STI와 PMD와 같은 애플리케이션에 적합합니다.

HARP 공정은 특허 받은 오존/TEOS 화학 반응을 이용한 고유의 공정으로 트랜지스터 성능을 향상시킵니다. 추가 되는 공정의 복잡성이나 또는 추가 비용 없이 2D 평면 로직에서 트랜지스터 구동 전류와 메모리 소자의 특성 보유 시간을 크게 증가시킬 수 있도록 응력 유도 필름을 증착합니다. HARP가 응력 질화물 및 SiGe 에피택시와 같은 다른 응력 유도 필름과 함께 사용될 때 이러한 신축 변형 가공의 혜택은 더욱 극대화 됩니다. 또한, 플라즈마를 사용하지 않는 HARP 증착 공정은 플라즈마 증착 시 발생하는 플라즈마 손상이 없어 소자의 신뢰성이 높일 수 있습니다.

어플라이드 HARP 공정은 생산 현장에서 이미 검증되었고 생산량이 높은 Producer 플랫폼에서 제공됩니다. 혁신적인 이중 챔버 아키텍처를 갖춘 Producer 플랫폼은 최대 6개의 웨이퍼를 동시에 처리할 수 있어 생산성이 뛰어나고 시스템 안정성이 높아 소유 비용(CoO)을 크게 절감할 수 있습니다. 플랫폼 확장성 덕분에 고객은 Producer 장비 세트를 여러 가지 공정 노드에 사용할 수 있습니다.