Endura^® ILB^™ PVD/ALD

Centinel^® チャンバを備えたApplied Endura iLB PVD/ALDシステムは、寸法がますます縮小し、統合されるライナー／バリア (iLB)の膜厚が、より大きな割合のタングステン埋め込み工程を必要とする中で、コンタクト抵抗の増大という課題を解決する画期的なソリューションです。

同システムは、コスト効率の高いALD (原子層成長) 技術の用途を提供します。90％以上の被覆率で超薄、均一、高品質のバリア膜を実現し、お客様の既存のiLB PVD/CVDを使用した技術ベースを32nm以降へと拡張します。プラズマ損傷のリスクあるいは高誘電率 (High-k) 材料の特性への悪影響を最小限に抑えながらTiN膜を堆積することにより、先進のメモリアプリケーションを可能にします。

Centinelの技術により、RE-ALD (ラジカルエンハンスド原子層成長) チャンバをPVD/CVD (物理気相成長／化学気相成長) プロセス プラットフォームに統合し、Endura iLBを増強しました。これにより、タングステンの量を最適化し、32nm以下のロジックデバイスにおけるコンタクト抵抗を低下させます。また、4Xノード組み込みDRAM、DRAM電極、および埋め込みワードライン アプリケーションへの使用も想定しています。