Endura^® Cirrus^™ HTX PVD

チタン窒化物（TiN）の薄膜に、革新的な物理気相成長（PVD）テクノロジーを提供するEndura Cirrus HTX TiNは、次世代のデバイスが直面するハードマスクの拡張性における課題を解決します。チップのフィーチャーが縮小し続けるに連れ、より複雑で小さな配線構造を正確にパターニングするハードマスクの革新が非常に重要となっています。PVDにおける長年にわたる専門性をさらに強化する新システムは、10nm以降のノードでパターン精度を確実にする、画期的なハードマスクを提供します。

チップ設計が高度になるに連れ、先進の集積回路はサイズが縮小されてアスペクト比は高くなり、より高密度にパッケージされています。ゆえに、電気回路（配線）を作成する際のパターンエッチングとメタライズに使用される材料の堅牢性は、これらのパターンの完成度を維持する上で非常に重要です。わずかなひび割れで適正なメタライズが不可能になる場合もあり、デバイスの信頼性と機能性を損なう可能性があります。

チタン窒化物（TiN）はハードマスク材料のスタンダードとなっており、配線を作成するLow-k絶縁体として使用されています。しかし、先進のテクノロジーノードでは、より低いデバイスの静電容量を達成するために、絶縁体はより多孔質になっており、重ね合わせたTiNマスクによる圧縮圧力によるエッチ後のゆがみ（ラインの曲がりやパターンの崩れ）において、もろく、影響を受けやすくなっています。この自然な圧縮圧力を低減して膜密度を維持することが、エッチプロセスに耐える上で非常に重要です。