Endura^® Cirrus^™ HTX PVD

Endura Cirrus HTX TiN 具備革命性的物理氣相沉積 (PVD) 氮化鈦 (TiN) 薄膜技術，能解决下一代元件的硬光罩可延展性難題。隨著晶片線寬尺寸不斷縮小，硬光罩創新對於更複雜微小的導電層結構的精確圖案化至關重要。新系統運用多年的 PVD 專業技術產生突破創新的硬光罩，確保 10 奈米以下節點的圖案保真度。

隨著晶片設計不斷進步，在建立先進積體電路中，晶片線寬尺寸逐漸變小，深寬比變得更高，封裝也越來越密集。因此，在建立電路 (或導電層) 時，用來界定進行蝕刻和金屬化所需圖案的材料是否堅固，對於保有這些圖案的完整性非常重要。哪怕最輕微的缺陷都可能造成元件金屬化無法正常進行，因而影響元件可靠性或發生元件失效。

在製造導電層時，氮化鈦 (TiN) 一直是低介電質圖案化所用的標準硬光罩材料。但是，為了要在先進節點降低元件電容，現在製造的介電質越來越多孔洞，介電質變得更易損壞，並且在疊加的 TiN 光罩的壓縮應力影響下，容易在蝕刻後變形 (線路彎曲和圖案坍塌)。消除這種自然壓縮應力會降低薄膜密度；而薄膜密度越高才可承受蝕刻製程。

傳統 TiN 在壓縮應力下會導致密集複雜的導線中發生線寬變化和圖案坍塌。

可拉伸的高密度 Cirrus TiN 會產生緊密的線寬控制和導孔重疊對位，以保持密集、複雜導電層的圖案完整性。

Endura Cirrus HTX PVD 系統在此方面有重大突破，採用頻率極高的 RF 源來產生便於修改薄膜結晶取向的高度電離化電漿，並解決了應力與密度難以兼顧的棘手問題。最終形成的 TiN 完美結合了抗張應力性與高密度，並因此產生極佳的蝕刻選擇性、出色的 CD 臨界線寬控制和導孔重疊對位，以及密集複雜圖案的高保真度。出色的薄膜厚度均勻性加上低缺陷率，使新系統進一步減少了變異性並產生極精確的圖案。