Centura^® Epi 200mm

パワーおよびMEMSデバイスからの要求をサポートするために、デバイスメーカーは厚膜のエピタキシャル層に注目しています。150μmの幅広い膜厚や、Rs（シート抵抗）、均一性、欠陥密度、厚み、パーティクル性能に対するより厳しい製造誤差により、市場はバッチ式から枚葉式プロセスに移行しつつあります。

Applied Centura Epi装置は、製造現場で実績のある枚葉式マルチチャンバ・エピタキシャル・シリコン成膜装置です。放射加熱された各チャンバは、正確かつ再現性のある成膜条件の制御を提供し、100％滑らない膜、優れた膜厚と抵抗均一性、低い欠陥レベルを実現します。Centura Epi装置の幅広い温度および圧力、優れた温度均一性、フレキシブルなガスパネル構成は、先進の低温エピタキシャルやゲルマニウム、シリコンゲルマニウムを含む多結晶成膜プロセスを可能にします。加えて、最大3基のプロセスチャンバを搭載可能で、より優れたin-situチャンバクリーニング性能の提供に最適化されたハードウェアにより、市場をリードするスループット密度と低いCost of Ownershipを実現します。

アプライド マテリアルズの200ｍｍ Centura  Epiプラットフォームは、Siconiプリクリーンチャンバを組み入れた構成が可能です。プリクリーンの技術は、低温エピタキシャルプロセスにおける需要の高まりに対応するために開発されました。この技術はレガシーCMOSのノードでの、RFやフォトニクスなどの新たなアプリケーションによって牽引されています。Siconiプリクリーン技術は、低温での自然酸化膜除去が可能で、それによりエピタキシャルプロセスのサーマルバジェットを下げ、待機時間 (Queue time) の変動により引き起こされるプロセスのばらつきを低減します。