Centura^® Epi 200mm

새롭게 부각되는 전력 및 MEMS 소자에 대한 요건을 충족시키기 위해서 소자 제조사들은 더 두꺼운 Epi 레이어를 목표로 삼고 있습니다. 필름 두께가 50-110µm이고 Rs(표면 저항) 균일성, 결함 밀도, 두께, 입자 성능에 대한 제조상의 허용 오차가 더 엄격해짐에 따라 시장이 일괄 처리 공정에서 단일 웨이퍼 공정으로 전환되고 있습니다.

어플라이드의 Centura Epi 시스템은 생산을 통해 검증된 단일 웨이퍼, 다중 챔버 방식의 에피택시 실리콘 증착 시스템이며 전세계적으로 약 900대의 200mm 챔버가 사용되고 있습니다. 복사열로 가열되는 개개의 공정 챔버가 증착 조건 제어에 대한 높은 정밀성과 재현성을 제공하고 100% 슬립 없는 필름, 우수한 필름 두께와 저항 균일성, 낮은 결함률을 구현합니다.

어플라이드의 200mm Centura Epi 플랫폼에 이제 Siconi 전세정 챔버를 같이 구성할 수 있습니다. 에피공정 전세정 기술은 RF 및 포토닉스와 같은 신규 응용 분야에서 레거시 CMOS 노드의 저온 Epi 공정에 대한 수요를 해결하기 위해 개발되었습니다. Siconi 세정 기술은 저온 자연 산화물 제거가 가능하여 에피택셜 공정의 온도를 낮출 수 있으며, 공정 대기 시간 변화에 따른 공정 변동성을 개선합니다.

어플라이드는 두 가지 Epi 기술을 제공합니다 : 평판 성장용 상압 Epi와 패턴 내에서 성장시키는 저압 Epi 기술입니다. 이번에 새로 출시한 Centura Pronto^{™ ​​} 상압 고속 성장 챔버는 단일 150/200mm 챔버 내에서 6μm/분의 성장률의 빠른 속도 및 높은 생산성으로 얇은 막과 두꺼운 막을 모두 성장시킬 수 있습니다 (단일 패스에서 <20μm~150μm). 이 시스템은 웨이퍼 중심에서 엣지까지의 균일성을 향상시키고 웨이퍼 간 일률적인 막 성장을 가능케하여 온웨이퍼 성능을 향상시킵니다.