Centura^™ Etch 刻蚀

图形化是半导体生产操作中最关键和最具挑战性的环节。无论是刻蚀栅极、晶体管隔离沟槽、高深宽比接触孔，还是任何级别的互连层铝或介电质薄膜；保持精确、可重复和一致的关键尺寸控制，是器件良率的关键。

在新的 200mm 技术上，应用材料公司 Centura 刻蚀反应器解决了以下难题：MEMS 深宽比 >100:1 的硅刻蚀、SJ MOSFET 一体化硬掩模开槽带以及面向 LED 和功率器件的氧化铟锡和氮化镓等新材料。目前，约有 2,000 台 Centura 刻机蚀已投入运行，为客户提供了高生产率的硅、铝和介电质刻蚀解决方案。

应用材料公司的 Centura DPS Plus 是公认的铝刻蚀行业标准。

Centura 的单晶圆、多腔室架构支持多达四个工艺腔室的集成、连续晶圆加工。在刻蚀工艺上主要进行了以下升级：

• 增压器套件采用新的含铌陶瓷静电卡盘和钇涂层工艺腔室
• 先进的 EyeD 全光谱端点和腔室状态分析 PC 工具集
• 带微粒消减适配器的黑护套涡轮增压器
• 可将介电质刻蚀扩展到 70nm 及以下的 CT+ 技术升级。