線寬尺寸縮小​

線寬尺寸縮小​

對於半導體晶圓在熱、化學和電漿的處理製程中，線寬尺寸縮小模型在瞭解線寬的表面形貌演化上扮演著至為關鍵的角色。 這些線寬在晶圓上的演化，取決於晶圓上熱和化學環境的均勻度。 透過利用特徵尺度模型，再加上ACE+ 的反應器尺度模型，晶片製造商可以更深入地了解特徵的拓撲演變，並優化其製程配方，以實現更高的均勻性、更高的產量和更好的製程控制。

TOPO+ 是一款基於等位集的二維和三維線寬尺寸縮小建模軟體，能夠模擬在晶圓或半導體設備上納米尺度的線寬表面，在蝕刻和沉積製程中的暫態演化。 TOPO+ 採用氣體物種的彈道傳輸，以及各種蝕刻、濺射和沉積製程中的複合表面化學反應，包括多種材料和多製程步驟的表面形貌三維演變。 它可以直接整合來自 ACE+ 反應器尺寸縮小模擬的物種通量（中性、自由基、離子）、離子能量和晶圓上的角分布函數。