特征比例

特征比例

特征尺度模型在了解半导体晶圆在热加工、化学加工和等离子体加工过程中特征的形貌演变方面起着至关重要的作用。这些特征在晶圆上的演变取决于晶圆上热环境和化学环境的均匀性。通过利用特征尺度模型和 ACE+ 的反应器尺度模型，芯片制造商可以深入了解特征的地形演变，并优化工艺配方，以实现更好的均匀性、更高的良率和更强的工艺控制。

TOPO+ 是一款基于水平集方法的二维和三维特征尺度建模软件，可模拟晶圆或半导体器件上纳米尺度特征在刻蚀和沉积工艺过程中的瞬态表面变化。TOPO+ 使用不同刻蚀、溅射和沉积工艺中气体组分的弹道传输和复杂的表面化学，包括多种材料和多道工序的三维拓扑变化。它可以直接整合整片晶圆来自 ACE+ 反应器尺度仿真的组分通量（中性、自由基、离子）、离子能量和角度分布函数。