형상 스케일​

형상 스케일​​

형상 스케일 모델은 열, 화학 및 플라즈마 처리 중 반도체 웨이퍼 형상의 표면 구조 진화를 이해하는 데 매우 중요한 역할을 합니다. 웨이퍼 전체에 걸친 이러한 형상의 진화는 웨이퍼에 대한 열 및 화학적 환경의 균일도에 달려 있습니다. 칩 제조업체는 TOPO+에서 제공하는 형상 스케일 모델을 ACE+에서 제공하는 반응기 스케일 모델과 결합해 활용하여 형상의 표면 구조 진화에 대한 보다 심도 있는 인사이트를 얻고 공정 레시피를 최적화하여 향상된 균일도, 더 높은 수율, 더 나은 공정 제어를 달성할 수 있습니다.

TOPO+는 레벨 세트를 기반 2차원 및 3차원 형상 스케일 모델링 소프트웨어로, 웨이퍼 또는 반도체 소자 전체에 걸친 나노미터 스케일 형상에 대한 식각 및 증착 공정 중 일시적인 표면 진화를 시뮬레이션합니다. TOPO+에서는 기체종의 탄도 수송과 함께, 다양한 재료 및 다중 공정 단계를 위해 3차원 표면 구조 진화를 포함하여 식각, 스퍼터 및 증착 공정에서의 복잡한 표면 화학을 이용합니다. 또한 ACE+ 반응기 스케일 시뮬레이션에서 웨이퍼 전체에 걸쳐 종 플럭스(중성, 라디칼, 이온), 이온 에너지 및 각도 분포 기능을 직접 통합할 수 있습니다.​

feature scale

주요 TOPO 애플리케이션:

  • 금속 증착(Al, Cu, W, Ti)​
  • 베리어 층 증착(TiN, TaN)​
  • High-K 유전체 증착​
  • 에피택시 증착​
  • 이산화규소 및 질화규소 증착​
  • 컨택/비아 식각​
  • 게이트 식각​
  • 인터커넥트 식각​
  • 유전체 식각​
  • 깊은 트렌치 식각​
  • 얕은 트렌치 분리

주요 TOPO+ 기능:​​

  • 빠른 적응형 자동화 메싱​
  • 2차원 및 3차원 ​
  • 증착 및 식각 공정 통합 ​
  • 다양한 재료 및 복잡한 표면 화학​
  • 반응기 스케일 모델에서 CFD-ACE+ 유입 플럭스, 이온 에너지 및 각도 분포와 완전히 통합​
  • 파라메트릭 DOE 기능​

시뮬레이션 기반 탐색을 통한 혁신 촉발​