HawkEye光學檢測

隨著晶片結構越來越小，製程也漸趨複雜，需要更多的檢測步驟來實現有效的製程控制。同時，晶圓廠為了控制成本，必須部署可以優化總檢測成本的方法，明場 及暗場光學檢測技術的組合搭配，就是使良率監控和控制具有成本效益的關鍵。最終目標是在每個關鍵製程步驟中檢測出所有主要缺陷類型，以便廠房能夠在開發初期識別和解決問題，並在量產時提高晶圓的良率和可靠性。

HawkEye^™ 光學檢測系統用於檢測圖案化晶圓的暗場缺陷，包括顆粒、圖案缺陷、刮痕和凸起，這些缺陷可能出現在蝕刻、化學機械平坦(CMP)、沉積、微影、離子植入以及各種客製化製程模組後。深紫外線 (DUV)雷射光源在掃描記憶體與邏輯晶片的鰭片、環繞式閘極層和互連層時，提供高靈敏度和高處理量，適用於先進至2奈米的晶片和ICPAS市場（物聯網、通訊、汽車、電源和感測器）中的各種裝置。HawkEye光學系統的擁有成本較低，有助於降低整體檢測成本，同時允許更多的晶圓檢測，從而提高良率和可靠性。

HawkEye 光學系統的設計是為了最大化檢測產能，並檢測前段 到後段圖案上的所有表面缺陷 。它配合了應用材料公司的 Enlight^™ 明場光學檢測系統，使晶圓廠能夠依採取全面的明場和暗場檢測策略。