Endura^®Volta^® Selective W CVD

タングステン(W)は、電気抵抗が小さいこととバルク埋め込み特性により、MOL（middle-of-line）コンタクトのギャップフィル材料として広く使用されています。MOLコンタクトは、トランジスタとチップ内の配線をつなぐ重要な電気的要素です。そのため、コンタクト抵抗を抑えることは、デバイス全体の性能を左右します。

しかし、スケーリングが進むにつれ、コンタクトビアの寸法が縮小しても、コンタクト抵抗がボトルネックとなり、最適なデバイス性能が発揮できなくなっています。コンタクトビアが微細化すると、メタルライナー／バリアと核生成層が占める体積の比率が増え、導体金属を埋め込むスペースが減少してしまいます。加えて、プラグ内の複数の抵抗インターフェースにより、コンタクト抵抗はさらに増大します。

Applied Endura Volta Selective W CVDは、2Dスケーリングにおけるこのような課題を解決できるブレークスルー技術のインテグレーテッドマテリアルズソリューション™を提供します。このシステムは、表面処理チャンバと選択的タングステン成膜チャンバを組み合わせています。選択的成膜は、成膜チャンバの独自プロセス技術と、多様な表面処理技術によって実現します。表面処理は特殊な化学物質を使用し、コンタクトの下地金属膜と誘電体を整えて、ボトムアップでメタルオンメタル成膜を可能にしています。選択的プロセスは、ライナー／バリア層や核生成層を不要にしてデバイス性能のボトルネックを解消し、ボイドや継ぎ目のないギャップフィルを実現します。

全てのプロセスステップは、ウルトラ・クリーンな高真空環境を保ったまま施されるため、インテグレーテッドマテリアルズソリューションはクリーンな界面と欠陥のないコンタクトフィルを実現します。導体メタルの量を最大化することで、従来のライナー／バリアコンタクト形成と比較するとコンタクト抵抗が大幅に減少します。この低抵抗化によって、デバイス密度は向上し、2Dスケーリングを推し進めます。