Reflexion^™ LK Prime^™ CMP

应用材料公司的 Reflexion LK Prime CMP 系统改进了上一代平坦化技术，可在 FinFET 和 3D NAND 应用中达到纳米级精度。这种精度对工艺而言至关重要，因为极微小的栅极高度变化都会影响器件性能与成品率。

为应对当下对尖端CMP应用的需求，Reflexion LK Prime CMP能执行精准的工艺流程和高效率的产出是基于它独特的硬件配置：按工艺流程，研磨阶段有四个抛光垫，晶圆由多达六个抛光头控制，清洗时有八个工艺腔用来清洗，两个工艺腔用来干燥。Reflexion LK Prime CMP 是在保持Reflexion LK CMP 性能的同时，对现行的研磨、清洗两步走的CMP 性能做了优化。它加大了研磨和清洗的产能（Reflexion LK CMP 有7个工艺腔，而Reflexion LK Prime 有14个工艺腔），而且优化了晶圆的传输，这使许多应用方面的产能实现了翻倍，随之带来的是生产效率的翻倍提升。

它有独立使用单个抛光区和单个清洗区的能力，这使得工艺流程的选择更灵活：可以按顺序并行、或者按批进行生产。同时每个研磨盘上的工艺设计可以很大程度上实现定制。举例说：3D NAND 因为膜层比较厚，而且地形起伏大，所以需要长时间、稳定的抛光。因此可以使用多个研磨盘，连续、短时间抛光的方式来获得稳定、可以预测的平坦化结果。从而提升了晶圆性能，减少了缺陷的产生。为满足将来集成电路模块制造的要求，与 Reflexion LK CMP 系统一样，Reflexion LK Prime 系统也采用最新的抛光、清洗和工艺控制的技术，来确保最高水准的产品性能。