Reflexion^® LK Prime^® CMP

연마 스테이션 6개와 첨단 공정 제어 기능이 적용된 일체형 세정 스테이션 8개를 특징으로 하는 이 시스템은 이러한 3D 응용 분야에서 요구되는 정밀 공정을 구현하고 비길 데 없는 균일성과 고효율을 제공합니다. 세대 플랫폼은 스테이션 7개) 향상, 웨이퍼 핸들링 기능 최적화로 많은 응용 분야에서 웨이퍼 처리량을 이전보다 최대 두 배로 높일 수 있고 생산성을 최대 100% 향상시킬 수 있습니다.

각각의 연마 및 세정 스테이션을 개별적으로 사용할 수 있는 유연성 덕분에 순차, 병렬 또는 일괄 공정을 진행할 수 있고 각각의 가압판에서 더 높은 수준의 맞춤화가 가능합니다. 예를 들어 필름층이 두껍고 표면 형상이 넓은 3차원 수직 구조 낸드는 지속적인 연마 작업이 더 오래 필요합니다. 이것을 여러 가압판에서 더 짧은 연마 작업으로 연속해서 수행해서 안정적이고 예측 가능한 평탄화를 구현합니다. 이는 온웨이퍼 성능을 최적화하고 결함을 줄입니다. 특수화된 연마 헤드 그리고 향상된 실시간 윤곽 및 엔드포인트 제어 기능으로 미래의 소자 기술 요건을 충족시킬 수 있는 정밀한 공정 제어와 재현성을 구현합니다.