Olympia^™ ALD

持续的工艺缩放将器件性能不断推向新的水平。ALD技术对 3D NAND 和逻辑 FinFET 制造中越来越多的步骤至关重要。然而，尽管借助 ALD 所实现的保形性和一致的薄膜厚度对于 CD 控制仍然至关重要，但也对 ALD 提出了新的要求，以便在有限热预算中提供范围越来越广的高品质、强健的薄膜。

应用材料公司的 Olympia ALD 系统能够单独沉积介电层薄膜，通过提供无与伦比的工序能力应对了在3D 器件制造所需的低沉积温度下，获取高品质 ALD 薄膜的重大挑战。灵活的设计也使系统能够适应所需的多种前体，以便提供ALD 工艺品质、多样性和热范围。

Olympia ALD 系统通过创新型化学物管理来实现差异化，以确保用于沉积过程的单个前体的绝对隔离。这一独特的功能最大限度避免了产生潜在的有害副产物和微粒（可能在化学物自由混合时形成）。结果，系统仅产生极少的缺陷，并能在需要清洁腔体之前运行更长时间。此外，相比时间分散的传统 ALD，通过避免每次化学物处理之后的抽吸/冲洗步骤，该系统能够将生产力提升 50%。