Olympia^® ALD

製程持續微縮推動元件效能邁向全新水準。ALD 技術對製造DRAM、三維 NAND 和邏輯 FinFET 中越來越多的步驟至關重要。雖然使用 ALD 製程達到均勻一致的薄膜厚度，對臨界線寬控制仍然很重要，但 ALD 必須達到更多需求，以便能在有限熱積存內提供範圍越來越廣的高品質、穩固耐用的薄膜。

應用材料 Olympia^® ALD 系統可用來進行介電質薄膜單獨沉積，透過提供無與倫比的排序功能，能解決製造平面和三維元件的重大挑戰，在低沉積溫度中取得高品質的 ALD 薄膜沉積。。靈活的設計也使系統能夠適應多種先驅物，這樣才能提供高品質、多樣化、多種工作溫度的 ALD 製程。

Olympia ALD 系統的獨特之處在於創新的化學物管理，這能確保沉積製程中使用的個別先驅物會絕對隔離。此獨特功能最大限度避免產生潛在的有害副產物和微粒 (可能在化學物自由混合時形成)。最後，系統會產生非常少的缺陷，可在兩個反應室清潔過程中運行很長一段時間。此外，系統避免了每次化學反應後的抽吸/沖洗步驟，相比時間分散的傳統 ALD，能夠將產能提升 50% 以上。