VeritySEM^® 6C 關鍵尺寸 (CD) 量測

隨著時代進步，人們越來越偏好使用更多的智慧化產品，這也間接地帶動了以化合物半導體為基礎的晶片需求，以提升智慧化產品的裝置功用與效能。例如：碳化矽 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 這類的化合物半導體多用於汽車產業中電氣化和自動化駕駛應用，砷化鎵 (GaAs) 和GaN則多被使用於新一代顯示器，碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 則用於 5G/6G 無線通訊，以及其他各種物聯網和再生能源驅動的應用。

上述所提及的化合物半導體，其生產來源可以是由不同的晶圓尺寸；除此之外，晶圓的厚度、透明度、導電度等性質也不盡相同，甚至可能涵蓋2D 和 3D 結構，因此，要能夠精準的控制各種製程並且大量生產此類化合物半導體元件極具挑戰。大多數半導體元件內的圖案尺寸介於 0.1um 到 >100um之間，這些圖案尺寸需要精準地控制在一定的範圍內，才能達到預期的元件效能。 CD-SEM (掃描式電子顯微鏡)可以針對不同化合物半導體元件的製程需求量身打造晶圓傳送及量測系統，用以解決不同的量測需求，已成為產業界用來提高製程控制能力以及生產力不可或缺的關鍵工具之一。

應用材料公司的熱門產品， VeritySEM 6i系統已經被全球大多數的晶片製造商採用，而VeritySEM 6C系統是其衍生產品，可提供 SiC、GaN 和 GaAs 等化合物半導體製造的先進量測及製程控制使用。VeritySEM 6C的自動化晶圓處理系統可自行調整為支援 6 吋、8 吋及 12 吋晶圓尺寸，以及各種電子和物理特性，如晶圓厚度和翹曲程度。VeritySEM 6C 系統還提供高影像解析度和訊號收集效率藉以最大化單位時間內晶圓量測數量，此外，VeritySEM 6C先進的自動化系統以及領先業界的機台量測匹配準確性大大減少了人員介入的需求。量測精準度讓 VeritySEM 6C 系統可以執行最先進的 3D 和高深寬比 (HAR) 圖案測量，適用於功率裝置中的垂直電晶體等許多裝置結構。