VeritySEM^® 6C 패턴 거리 (CD)계측

우리가 사용하는 제품과 우리 주변의 세상이 매년 더욱 스마트해짐에 따라 장치 성능과 성능을 높이기 위해 화합물 반도체 기반 칩에 대한 수요가 증가하고 있습니다. SiC 및 GaN은 자동차 산업의 전기화 및 자율 애플리케이션, 차세대 디스플레이의 GaAs 및 GaN, 5G/6G 무선 통신의 GaN-on-SiC 및 기타 다양한 IoT 및 재생 에너지 기반 애플리케이션을 지원하는 인기 있는 화합물 반도체입니다.

반도체 제조사는 대량으로 화합물 반도체를 제조할 때 프로세스 제어에 대한 과제에 직면하게 됩니다.  웨이퍼는 다양한 두께, 불투명도, 전도성 등 다양한  크기로 제작되고 2D 및 3D 구조가 혼합되어 포함될 수 있기 때문입니다. 패턴은 일반적으로 크기가 0.1um에서 100um 이상으로 다양하며 장치 성능에 중요한 매우 엄격한 프로세스 변화가 필요합니다. 웨이퍼 취급 및 측정에 다양한 기능을 제공하는 CD-SEM(패턴 거리 계측 주사 전자 현미경)은 화합물 반도체에 맞게 맞춤화할 수 있으며 다양한 수준의 계측을 처리할 수 있으며 안정적인 고생산성 공정 제어에 필수적입니다.

어플라이드 VeritySEM 6C CD 계측 시스템은 전 세계 대부분의 칩 제조업체에서 사용하는 인기 있는 VeritySEM 6i 시스템의 확장으로, SiC, GaN, GaAs와 같은 화합물 반도체 제조의 고급 계측 및 프로세스 제어를 지원합니다. 자동 웨이퍼 핸들링 시스템은 웨이퍼 두께 및 변형과 같은 전기적, 물리적 특성이 다양한 6'', 8'' 및 12'' 웨이퍼 직경을 지원하도록 자체 조정됩니다. VeritySEM 6C 시스템은 또한 높은 이미징 해상도와 감지 효율성을 제공하여 처리량을 극대화하는 동시에 고급 자동화 및 업계 최고의 차량 매칭 정확도로 인해 도구 운영자의 필요성이 사실상 제거됩니다. 정밀 사양을 통해 VeritySEM 6C 시스템은 전력 장치의 수직 트랜지스터를 비롯한 다양한 장치 구조에 필요한 최첨단 3D 및 고종횡비(HAR) 패턴 측정을 수행할 수 있습니다.