VeritySEM^™ 6C 关键尺寸 (CD) 计量

随着我们使用的产品和我们周围的世界逐年变得越来越智能，为了提高器件的能力，对基于化合物半导体的芯片需求也不断增长。SiC和GaN是一些流行的化合物半导体，为汽车行业的电气化和自动应用、下一代显示器中的GaAs和GaN、5G/6G无线通信中的GaN-on-SiC以及各种其它物联网和可再生能源驱动的应用提供动力。

化合物半导体的大规模量产对工艺控制提出了挑战，因为器件是在不同尺寸的晶圆上制造的，具有广泛的厚度、不透明度、导电性……并且可能包括2D和3D结构的混合。图案的尺寸通常在0.1微米到>100微米之间变化，需要极其严格的工艺变化，这对器件性能至关重要。在晶圆处理和测量方面通用的CD-SEM（临界尺寸扫描电子显微镜）可以针对化合物半导体量身定制，并解决不同程度的计量问题，对于可靠的高生产率工艺控制至关重要。

 作为广受欢迎且为全球大多数芯片制造商使用的VeritySEM 6i系统的扩展，应用材料公司的 VeritySEM 6C CD计量系统能够对SiC、GaN和GaAs等化合物半导体制造进行先进的计量和过程控制。自动晶圆处理系统可自行调整，以支持具有不同电气和物理特性，如晶圆厚度和翘曲的6英寸、8英寸和12英寸直径的晶圆。 VeritySEM 6C 系统还提供高成像分辨率和检测效率，以最大限度地提高吞吐量，而先进的自动化和行业领先的机队匹配精度实际上消除了对设备操作的人力需求。 高规格的精确度使 VeritySEM 6C 系统能够进行许多器件结构（包括功率器件中的垂直晶体管）所需的先进 3D 和高纵横比 (HAR) 图案测量。