VeritySEM^® 6C Critical Dimension (CD) Metrology

私たちが日々使う製品や私たちを取り巻く世界が年々スマート化する中、デバイスの性能やパフォーマンスを向上させる化合物半導体チップへの需要がますます高まっています。SiC（シリコンカーバイド）やGaN（窒化ガリウム）などの化合物半導体は、自動車産業で電動化用のパワーチップや自動運転などに活用されています。さらにGaAs（ヒ化ガリウム）とGaNは次世代ディスプレイに、GaN-on-SiCは5G/6G無線通信や各種IoTアプリケーション、再生可能エネルギー関連のアプリケーションなどに使われています。

化合物半導体の量産には、プロセス制御面での課題が伴います。デバイスの基板となるウェーハには、ウェーハ径、ウェーハ厚、透明性や導電性などもそれぞれ異なるほか、2D構造と3D構造が混在する場合もあります。パターンサイズも0.1umから100um超まで各種あり、デバイスの性能を確保するにはプロセスのばらつきを厳密に抑制する必要があります。多様なウェーハ搬送と計測機能に対応するCD-SEM（測長走査型電子顕微鏡）は、化合物半導体向けにカスタマイズして、さまざまな精度の計測に対応することができます。これは信頼できる高い生産性のプロセス制御に必要です。

現在世界中のほとんどの半導体メーカーで使用されているVeritySEM 6iの拡張モデルにあたるCD計測装置Applied VeritySEM 6Cは、SiC、GaN、GaAsなどの化合物半導体製造に向けた先進的な計測とプロセス制御を可能にします。自動ウェーハ搬送システムは6、8、12インチのウェーハ径に自動対応し、さらにウェーハ厚やウェーハ反りなどの電気・物理特性のばらつきにも対応できます。また、VeritySEM 6Cは高い解像度と検出効率でスループットを最大化するほか、先進的な自動化と業界屈指のフリートマッチング精度により、装置オペレータが事実上不要となります。高精度仕様のVeritySEM 6Cは、最先端の3DおよびHAR（高アスペクト比）パターン計測を可能にし、パワーデバイス向けの縦型構造のトランジスタをはじめ、各種デバイス構造のニーズに応えます。