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SEMVision® G10 Defect Analysis

SEMVision G10

缺陷檢查一直是半導體製造中整體的一環，用以監測與控制製程中每個步驟的品質。隨著持續微縮與線寬縮減，目標缺陷 (DOI) 的尺寸也跟著不斷縮小。這些更小的缺陷會直接影響到元件良率，需要極高解析度成像，才能從製程變異雜訊中偵測到並且區別出這些缺陷。此外，由於元件架構複雜性逐漸提高且轉變成 3D 結構，例如​​​ ​環繞式閘極 (GAA)​​​ 電晶體，因此需要更高解析度才能偵測到缺陷以及呈現出缺陷特性。這讓晶片製造商得以識別問題的根本原因並採取合適的改正措施，加速量產準備與上市時間。

SEMVision G10 缺陷複檢系統整合了新穎的冷場發射 (CFE) 技術，並提供領先業界的次奈米 (<1nm) 解析度，以解決現今的諸多挑戰。高解析度讓 ​​EUV​​ 光阻劑複檢所需的電子束劑量可減量 >10x，傳統電子束工具在這樣的劑量下已無法維持所需的影像品質。該系統提供了各種成像功能，包括使用 ElluminatorTM 技術，此技術是背向散射電子(BSE)、透視 (ST) 成像及高深寬比 (HAR) 缺陷偵測的業界標準。對於無圖案晶圓，G10 以增強光源和新式鏡頭，實現了全方面、高生產力的複檢能力, 可偵測小於 13奈米的缺陷。SEMVision G10 極致運用尖端自動化解決方案，提高晶圓廠生產力並加速量產準備工作。

已相當普及的 Purity® ADC (自動化缺陷分類) 引擎擁有先進的機器學習能力。這個一站式解決方案不僅可篩出干擾缺陷 (nuisance defects)，也可為限制良率的缺陷提供高純度、分類完善的帕雷托圖(Pareto chart)分析。 有鑑於光學晶圓檢測設備的誤警率不斷在增加，帕雷托圖(pareto chart) 在先進技術節點中扮演很重要的腳色。這項領先市場的技術在晶圓代工和記憶體晶圓廠中已是成熟標準，它能準確分類出大量的缺陷並準確監測統計製程控制。CFE 型高解析度影像之所以能提升該製成的品質，是因為它能偵測到較小的缺陷，並提供比 TFE 型系統還高的缺陷細節靈敏度。

G10 加入 SEMVision 系列與全球 2,000 多套系統的機群。SEMVision 自二十年前推出之後，就一直在缺陷複檢市場中領先群雄。在 G7 持續提供成熟技術節點的同時，具備CFE 技術的 SEMVision G10 為先進 3D 結構 （例如GAA 電晶體、EUV 和進階記憶體微縮）缺陷偵測與分類迎來了新時代。