SEMVision G10 缺陷分析

作為監控和控制各製造過程品質的機制，缺陷檢測一直是半導體製造中不可或缺的一部分。隨著特徵尺寸持續微縮，關鍵缺陷 (DOI) 的尺寸也跟著縮小。這些更小的缺陷會直接影響到元件良率，需要極高的成像解析度，才能從製程變異雜訊中偵測並區別出缺陷。此外，隨著裝置架構的複雜性日益增加，不僅需要更高的圖像解析度來檢測缺陷，還需要將其進行表徵。這使晶片製造商能夠找出問題的根本原因，並採取正確的措施，以加快生產速度及上市時間。

SEMVision G10 缺陷檢測系統採用新穎的冷場發射 (CFE) 技術，提供業界領先的次奈米解析度以解決當今所面臨的挑戰。這種前所未有的靈敏度對於廣泛的成像功能至關重要，包括小的表面缺陷和埋藏缺陷。 Elluminator ™ 技術已成為背向散射電子 (BSE) 成像、透視 (ST) 成像，以及於高深寬比 (HAR) 結構有效缺陷檢測的業界標準。 對於無圖案晶圓，G10 使用增能夠偵測小於13奈米缺陷的增強光源和光學系統，實現全面、高生產力的檢測。 SEMVision G10 也利用並擴展最先進的自動化解決方案，從而提高晶圓廠的生產效率，並加速大規模量產進程。 Purity ™ ADC（自動缺陷分類）引擎採用先進的機器學習功能，可提供高純度且完全分類的良率限制缺陷pareto圖表。