SEMVision^® G10 Defect Analysis

​결함 검사는 각 제조 공정 단계의 품질을 모니터링 및 관리하기 위한 수단으로써 줄곧 반도체 제조에서 큰 비중을 차지했습니다. 디바이스의 지속적인 스케일링 및 축소에 따라 중요 결함(defects of interest, DOI)의 크기 또한 계속해서 감소하고 있습니다. 이러한 작은 결함은 디바이스 수율에 직접적인 영향을 미치며, 공정 변동 노이즈로부터 탐지 및 구별하기 위해서는 초고분해능 이미징 기술이 필요합니다. 또한 디바이스 구조가 복잡해지고 ​​​​차세대 게이트올어라운드 (Gate-All-Around, GAA)​​ 트랜지스터 등 3D 구조로의 전환이 진행되면서, 결함을 탐지하는 것뿐만 아니라 결함의 특성을 분석하는 데에도 더 향상된 분해능이 요구됩니다. 이는 칩 제조사가 근본 원인을 파악하고 적절한 조치를 하여 초기 양산 및 출시에 소요되는 시간을 단축할 수 있게 해줍니다.​

​SEMVision​ ​G10 결함 검사 시스템은 냉전계 방출(Cold Field Emission, CFE) 신기술을 집적화하여 업계 최고 수준의 1nm 미만의 분해능으로 오늘날 당면하는 문제의 대부분에 대처할 수 있게 해줍니다. 기존의 전자빔 장비로는 ​​​EUV​ 포토레지스트 검사에 필요한 이미지 품질을 충족할 수 없지만, SEMVision G10의 고분해능 기술은 전자빔 주입량을 10배 이상 감소시키면서도 충분한 이미징을 가능하게 해줍니다. 본 시스템은 업계 표준으로 자리 잡은 Elluminator^TM 기술을 탑재하고 있으며, 후방 산란 전자형(back-scattered electron, BSE), 투시형(see-through, ST) 이미징 및 고종횡비(high aspect ratio, HAR) 결함 탐지등의 다양한 이미징 능력을 갖추고 있습니다. 패터닝되지 않은 웨이퍼의 경우, 13nm 미만의 결함도 광학적으로 감지할 수 있게 해주는G10의 향상된 광원 및 신규 광학 장치를 통해 복합적이고 생산성이 높은 결함 검사를 구현합니다. 또한 SEMVision G10은 최첨단 자동화 솔루션을 활용하고 확장하여 제조 생산성을 증진하고 양산에 걸리는 시간을 단축합니다.​