SEMVision^™ G10 Defect Analysis

在半导体制造中，缺陷复查一直是一个不可或缺的环节，用以监测和控制制造工艺中各道工序的质量。随着半导体特征的持续微缩和收缩，需要检测的缺陷 (DOI) 其尺寸也在不断缩小。这些较小的缺陷会直接影响器件良率，需要通过极高分辨率的成像技术来检测，并将其与工艺偏差噪声区分开来。此外，器件架构日益复杂，而且逐渐向 3D 结构​​（例如​ ​全环绕栅极 (GAA) 晶体管）​过渡，因此不仅是检测缺陷，识别缺陷也需要更高的分辨率成像，使芯片制造商能够确定问题的根本原因，从而采取合适的纠正措施，以更快完成产能爬坡，缩短产品上市时间。

SEMVision G10 缺陷复查系统集成新开发的冷场发射 (CFE) 技术，并提供业界领先的亚纳米级分辨率，可应对当今行业面临的诸多挑战。这样的高分辨率，是实现在减少 10 倍 eBeam 电子束 ​</font>​剂量下进行极紫外​ ​EUV​​​​ 光刻胶复查的关键，而传统的 eBeam 电子束工具在这一应用水平上已逐渐达不到必要的图像质量。该系统的成像能力应用广泛，而且采用了一直是背散射电子 (BSE)、透视 (ST) 成像和高深宽比 (HAR) 缺陷检测行业标准的 ElluminatorTM 技术。在无图案晶圆缺陷检测上，G10 利用增强的光源和新型光学元件，可对 13 纳米以下的缺陷进行光学检测，从而提供全面、高效率的缺陷复查。此外，SEMVision G10 采用最先进的自动化解决方案并进行拓展，从而提高晶圆厂生产效率，加速产能爬坡，快速实现大规模量产。