SEMVision^® G10 Defect Analysis

欠陥レビューは、いつの時も半導体製造プロセスにおいて各工程の品質をモニタリングし、制御するのに不可欠でした。スケーリングとフィーチャーの微細化に伴い、DOI（defect of interest）のサイズも微小化が続いています。これらの微細欠陥はデバイスの歩留まりに直接影響することから、欠陥を検出して、プロセスのばらつきによるノイズと識別するために非常に高解像度の画像化が必要です。さらに、デバイスアーキテクチャがますます複雑化し​​Gate-All-Around（GAA）​​トランジスタなどの3D構造への移行が進むにつれて、欠陥の検出だけでなく、欠陥の分類のためにもより高い解像度が求められます。これにより半導体メーカーは問題の根本原因を特定し、適切な是正措置を講じて、迅速な量産立ち上げと市場投入までの期間の短縮が可能になります。

欠陥レビュー装置SEMVision G10は、最新のコールドフィールドエミッション（CFE）技術を搭載し、業界をリードするサブナノメートルレベルの解像度を提供して、今日の課題の多くに対処します。この高解像度は、10倍以上低減された電子ビーム照射量での​​EUV​​フォトレジストの欠陥レビューを実現する際の重要な要素で、従来の電子ビーム装置では要求される画質を達成できなくなっています。本装置は、反射電子（BSE）、透過（ST）描画、高アスペクト比（HAR）欠陥検出の業界標準であるElluminator™技術の使用など、幅広い描画機能を備えます。パターンなしウェーハの場合、G10は強化した光源と13nm未満の欠陥の光学検出を可能とする新しい光学手法により、包括的で生産性の高い欠陥レビューを実現します。さらに、SEMVision G10は、最先端の自動化ソリューションを活用し広げることで工場の生産性を高め、量産までのプロセス立ち上げを加速させます。