Endura^™ ALPS^™ PVD (ALPS Co & Ni)

应用材料公司的 Endura ALPS（先进低压源）Cobalt PVD（物理气相沉积）系统为高深宽比结构的栅极和接触孔应用提供简单的高性能金属硅化物解决方案。ALPS 技术将钴延伸至 90nm 技术节点以下，可提供优良的钴底部覆盖，且不会对器件造成等离子损伤，缺陷数量极少。Endura ALPS Co 提供出色的电阻率、低漏电流和热稳定性，解决了钛凝聚、接触孔电阻变化和掺杂物吸出等难题。

对于 65nm/55nm 及以下节点的逻辑和存储应用，钴的硅消耗和硅化钴/硅界面的粗糙度变得更加关键。Endura ALPS Ni PVD 系统可沉积稳定的硅化镍薄膜，使硅消耗量减少 2 倍，薄膜界面更平滑，电阻率更低。ALPS Ni 可实现 100Å 底部覆盖，不对器件造成等离子损伤，同时还能最大程度减少微粒数量。

应用材料公司的 Endura ALPS Ni PVD 系统采用单腔室 Siconi Preclean 界面处理技术，解决了硅化镍 (NiSi) 沉积前硅表面清洗准备的难题。Siconi Preclean 可提供高选择比清洗 (>20:1 SiO₂:Si, >5:1 SiO₂:SiN)，无需传统 HF 清洗工艺所必需的清洗与镍沉积之间的严格等候时间控制。通过远程等离子源生成刻蚀剂，可减少对衬底的损坏，最大程度减少对氮化硅间隔层和硅栅等结构的刻蚀。此外，器件研究表明，与传统 HF 浸洗法相比，Siconi Preclean 能减少 NiSi₂ 尖峰缺陷，改善结漏电。