半導體 (Semiconductor)
三維 NAND
材料創新與堆疊工程,實現單元尺寸微縮與效能提升
DRAM → 三維 DRAM
適用於 DRAM 與三維 DRAM 單元微縮和最佳化的材料堆疊工程
FinFET → GAA
HKMG 堆疊工程與量測技術,支援 FinFET 到三維 GAA/奈米片的轉換
相變化記憶體
擷取硫化物的完整物理特性,實現相變化記憶體 (PCM) 的微縮
雙向定限
以物理/缺陷為核心的完整模型,為先進記憶體實現雙向定限切換 (OTS) 選取器的最佳化
電阻式記憶體
為人工智慧應用重現離子/空位擴散、化學反應及統計數據
鐵電
聚焦材料和原子缺陷,提升鐵電元件 (FeFET、FRAM) 的效能與可靠性