電晶體密度增加需要越來越小的佈線，這對晶片製造的所有關鍵製程提出更高要求。採用Volta^™ 釕 CVD 的應材 Endura^™ CuBS(銅阻障層/晶種) IMS^™ 提供一種解決方案，可以在單一整合性材料解決方案中降低功耗、提高性能和實現區域微縮。

在最先進的節點上，用銅填充互連的方法仰賴回流技術，使用退火將銅從晶圓表面流入溝槽和通孔。這種回流很大程度取決於銅必須流動的襯墊。傳統方法是在較大的元件中使用 CVD 鈷膜達成此目的。然而，這個3奈米薄膜對於更小的元件來說太厚，會影響良率和電阻。

應用材料公司的釕和鈷 (RuCo) 二元襯墊，將此關鍵層的厚度縮減到 20埃米以下，為導電銅線提供更大的體積。此外，這款新薄膜的介面大大改善了回流機制，並在開發中的最小互連上實現良率。