Endura^® Ioniq^™ W PVD

집적 회로와 그 구성 요소가 계속해서 미세화되면서 구성 요소의 금속 배선(interconnect) 및 전극도 점점 작아지고 있습니다. 그 결과로 금속 배선의 저항도 증가하고 있습니다.

일반적으로 저항-1커패시턴스1 딜레이(RC 딜레이)라고 불리는 이런 높은 저항은 속도를 저하하고 전력 소비를 늘려 칩 성능에 영향을 미칩니다. 더 작고 더 빠른 전자 디바이스를 만들기 위해서는 이러한 금속 배선의 저항을 최소화하여 계속해서 미세화할 수 있도록 해야 합니다.

어플라이드의 Endura Ioniq PVD 시스템은 하나의 고진공 플랫폼에서 CVD 챔버 및 전처리 챔버를 사용한 선구적인 제조 조합으로 다양한 전극 애플리케이션에서 순수 텅스텐(W)의 금속 배선 공정을 가능하게 하는 통합 소재 솔루션 (IMS™)입니다. 이 제품은 질화 티타늄 라이너, W 핵 생성 층 및 벌크 W 충전의 고저항 멀티 툴 조합을 벌크 CVD W 충전과 통합된 단일 PVD W 레이어로 대체합니다. Ioniq PVD 챔버의 강화된 이온화 및 방향성 플럭스 제어는 낮은 저항 베리어 및 라이너 역할을 하는 순수 W 필름의 우수하고 균일한 필름 스텝 커버리지를 생성합니다. 지속적인 고진공 환경은 필름 무결성을 유지하여 금속 계면에서 순도와 전기 컨덕턴스(conductance)를 더욱 향상합니다.

미세화를 가능하게 하는 어플라이드 Endura Ioniq PVD 시스템은 5nm 미만의 로직 애플리케이션의 핵심 전극에서 W의 사용을 확장하는 동시에, DRAM 및 NAND 소자의 낮은 저항 인터커넥트 금속 배선 공정에 고유한 접근 방식을 제공합니다.