化学气相沉积 (CVD)

CVD（化学气相沉积）工艺是将基材暴露于一种或多种挥发性前体，这些前体在基材表面上发生反应或分解，从而形成所需的薄膜沉积物。CVD 工艺有着广泛的应用。从图形化薄膜，到晶体管结构中及形成电路的导电金属层之间的绝缘材料（例如 STI、PMD、IMD、共形衬垫和导体间隙填充），CVD 工艺的身影无所不在。

CVD 工艺也在应变工程中发挥重要作用，可用于沉积压缩或拉伸应力薄膜来改善导电性，从而提升晶体管的性能。应用材料公司的多元化解决方案，可满足诸多关键性需求：带有严苛特征属性的复杂形貌上的无孔洞间隙填充；电容越来越低的材料提高晶体管响应速度和稳定性；以及随着先进移动科技上晶圆级封装（WLP）技术的应用衍生出的更多工序具有良好的耐受性。