CVD 是基板暴露在一種或多種揮發性前驅物的製程；這些前驅物會在基板表面上發生反應或分解，以產生所需的薄膜沉積物。CVD 製程可用於廣泛的應用領域。範圍從圖案化薄膜到電晶體結構裡和構成電路的導電金屬層之間的絕緣材料 (例如，STI、PMD、IMD、保形線性和導體間隙填充)。
CVD 製程對應變工程也很重要。應變工程是運用壓縮應力或伸長應力薄膜透過提升傳導性來增進電晶體效能。應用材料公司的多元化解決方案能滿足在複雜表面形貌中的無間隙填充需求，這些表面形貌具有苛刻的線寬輪廓，更低電容的材料能幫助提升電晶體速度，其耐用性足以承受 WLP 技術在先進行動技術所配套採用的額外製程步驟。
