Endura CuBS Volta 釕

電晶體密度增加需要越來越小的佈線,這對晶片製造的所有關鍵製程提出更高要求。採用Volta 釕 CVD 的應材 Endura CuBS(銅阻障層/晶種) IMS 提供一種解決方案,可以在單一整合性材料解決方案中降低功耗、提高性能和實現區域微縮。

在最先進的節點上,用銅填充互連的方法仰賴回流技術,使用退火將銅從晶圓表面流入溝槽和通孔。這種回流很大程度取決於銅必須流動的襯墊。傳統方法是在較大的元件中使用 CVD 鈷膜達成此目的。然而,這個3奈米薄膜對於更小的元件來說太厚,會影響良率和電阻。

應用材料公司的釕和鈷 (RuCo) 二元襯墊,將此關鍵層的厚度縮減到 20埃米以下,為導電銅線提供更大的體積。此外,這款新薄膜的介面大大改善了回流機制,並在開發中的最小互連上實現良率。

CuBS 銅佈線製程

釕和鈷序列