低介電常數電介質是降低電阻電容 (RC) 延遲、降低功耗，並提供在互連結構完整性的關鍵。通常，低介電常數（或稱「k 值」）用於增加訊號速度和降低功耗，但卻需要犧牲機械結構強度。

應用材料公司的升級版 Producer^™ Black Diamond^™ 技術可降低 k 值，將微縮推進至 2 奈米及以下，同時提供支援3D邏輯和記憶體堆疊所需更高機械結構強度。這種新的高強度低介電常數薄膜可以在一寬廣的區間中調整介電常數值，使其適用於任何金屬層。 領先的邏輯和記憶體晶片製造商繼續採用 Black Diamond 薄膜，在最先進的節點上進行大量生產。

上一代低介電常數薄膜

製作奈米多孔低介電常數薄膜分為兩個步驟，首先是沉積有機矽酸玻璃「骨架」和一個熱不穩定的有機相。

Black Diamond II 是唯一量產中的奈米多孔低介電常數材料（k = ~2.55）。製作奈米多孔低介電常數薄膜分為兩個步驟，首先是沉積有機矽酸玻璃「骨架」和一個熱不穩定的有機相。 然後使用紫外線（UV）固化去除不穩定的相，誘發多孔性並強化仍存在的氧化矽基材，形成最終的奈米多孔薄膜。

Black Diamond I 是業界領導者，也是低介電常數介電質薄膜的標竿， k值約為3.0，這是一種高強度的低介電常數薄膜，專為較底層的金屬層設計。

紫外線固化系統

Black Diamond系列與應材的Producer Apollo^™ 紫外線固化系統經過共同優化。Apollo系統採用高強度紫外線源來穩定和致密Black Diamond薄膜，從而優化機械和光學特性。Apollo 紫外線固化系統是低介電質固化的行業標準，提供市場上最快的固化時間和最高產量。所有Black Diamond薄膜也與應材的 CMP 和金屬沉積過程共同優化。