低 k 电介质是减少阻容（RC）延迟、降低功耗和提供互连结构完整性的关键。通常情况下，低介电常数或 "k 值 "在不牺牲薄膜结构强度的情况下，用于提高信号速度并降低功耗。

应用材料公司的增强型Producer​​^™​ ​Black Diamond​​^™​ ​技术降低了最小 K 值，从而实现了 2 纳米节点及以下的微缩，同时提高了薄膜的机械强度以支持三维逻辑和存储器堆叠技术。这种新型致密低介电薄膜可以调整到很宽的 k 值范围，因此可以用于任何金属层。领先的逻辑和内存芯片制造商继续采用 Black Diamond 薄膜，在最先进的节点上进行大规模量产。

前几代低介电常数薄膜

Black Diamond II 是目前唯一量产的一种纳米多孔低介电材料技术（k = ~2.55）。制作纳米多孔低 K 薄膜需要两个步骤，首先是沉积有机硅玻璃 "骨架 "和热​ ​易变​ ​有机相。然后，紫外线（UV）固化可去除易变相，诱发多孔性并强化剩余的氧化硅基质，形成最终的纳米多孔薄膜。

Black Diamond I 是行业领先的低介电基准，k = ~3.0，是专为较低金属含量而设计的致密低介电薄膜。

紫外线固化系统

Black Diamond 系列经过协同优化，可与应用材料公司的Producer Apollo^​​™ ​​紫外线固化系统配合使用。Apollo系统采用高强度紫外线源来稳定和致密化Black Diamond薄膜，优化机械和光学性能。Apollo紫外线固化系统是低 K 值固化的行业基准，在市场上提供更快的固化时间和更高的产量。所有 Black Diamond 薄膜还与应用材料公司的 CMP 和金属沉积工艺协同优化。