蝕刻製程會移除晶圓表面的特定區域，以沉積其它材料。
「乾式」(電漿) 蝕刻主要用於形成電路的製程步驟；「濕式」蝕刻 (使用化學槽浴) 則用於清潔晶圓表面。應材也提供創新式的「乾式」移除製程，不需使用電漿，即可選擇性地移除各層薄膜材料。一般而言，部分晶圓會在蝕刻時受到抗蝕刻「光罩」材料 (如光阻劑) 或硬質光罩 (如氮化矽) 所保護。
蝕刻製程是指介電質蝕刻或導體蝕刻，用以指明從晶圓上移除的薄膜材料類型。應用材料公司的蝕刻創新技術可滿足挑戰性持續提高的製程要求轉折點 (例如 : 3D NAND、EUV 圖案化和 FOWLP)。
