Reflexion^® LK CMP

應用材料 Reflexion LK 化學機械平坦化系統提供經生產驗證、高效能的平坦化解決方案，可供淺溝隔離層、氧化層、多晶矽以及鎢等應用。其高速平坦化機台和多區域研磨頭在低下壓力中，為 45 奈米以下元件世代擴展性能，提供優異的均勻度和高效率。

作為領先業界的 300mm 化學機械平坦化平台，Reflexion LK CMP 系統經過徹底更新，結合了最新的拋光、清潔和乾燥技術。蟬聯業界唯一的三平台連續拋光平台，在三步驟化學機械平坦化應用中完美最佳化了性能和產能。該平台繼續使用整合式 Desica^® 清潔模組，採用獨特的全浸泡式 Marangoni™ 蒸氣乾燥技術，消除水印缺陷並大幅減少微粒污染。

The Applied Reflexion LK 化學機械平坦化系統亦導入整套的端點反應法、內嵌量測技術以及先進的製程控制能力，可針對所有平坦化應用，確保絕佳的晶圓內和晶圓間製程控制和可重複性。系統採用獲得專利的 window-in-pad 技術，可在不影響產能的前提下，對每片晶圓進行精確的即時研磨控制。新型 FullVision^® XE 和 RTPC XE 原位端點和輪廓控制系統適用於所有停止於材料內部和停止於材料介面之介電材料和金屬層的化學機械平坦化應用，使用寬頻光譜或霍爾效應渦電流感測技術，大幅提升 Cpk（在客戶的規格限制範圍內測量製程生產輸出能力的量度）同時減少因耗材和前製程晶片變異所造成的晶圓報廢。